| 应用范围：高反压 | 品牌：ON/安森美 | 型号：ON5030 |
| 材料：硅(Si) | 封装形式：SOT323 | 是否跨境货源：否 |
| 种类：高频三极管 | 货号：ON5030 | 应用领域：3C数码 |
特点
·高功率增益
·低噪音数字
·高转换频率
·镀金确保
***可靠性
·的SOT323信封。
描述
NPN晶体管在一个塑料的SOT323信封。
快速参考数据
限值
按照系统（IEC134）。
注意
1。 TS是在收集“选项卡上的焊接点的温度。
符号参数条件最小。典型值。。机组
VCBO集电极 - 基极电压发射极开路 - 20 V的
VCES集电极 - 发射极电压的RBE= 0 - 15 V，
IC DC集电极电流 - 70毫安
P合计总功耗为Ts=118℃注1 - 300兆瓦
HFE直流电流增益IC= 20毫安的VCE=6 V，TJ= 25℃60 120250
FT过渡频率IC= 20毫安;的VCE=6伏，F= 1千兆赫;
TAMB =29°C
- 9 - 吉赫
胶单边功率增益IC= 20毫安;的VCE= 6V; F =900兆赫;
TAMB =29°C
- 15 - 分贝
F噪声的数字IC= 5毫安的VCE= 6V; F =900兆赫;
TAMB =29°C
- 1.11.6分贝
符号参数条件最小。。机组
VCBO集电极 - 基极电压发射极开路 - 20 V的
VCES集电极 - 发射极电压的RBE= 0 - 15 V，
的VEBO发射基地电压集电极开路 - 2.5伏
IC DC集电极电流 - 70毫安
P合计总功耗为Ts=118℃注1 - 300兆瓦
T英镑存储温度-65150°C间
TJ交界处的温度 - 175℃
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